Transistor adalah komponen elektronika yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi
tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor
memeiliki 3 kaki elektroda. Secara umum, Transistor dapat dibagi menjadi
2 kelompok Jenis yaitu Transistor Bipolar (BJT) dan Field Effect
Transistor (FET).
Fungsi Transistor
- Sebagai Penyearah,
- Sebagai Penguat tegangan dan daya,
- Sebagai Stabilisasi tegangan,
- Sebagai Mixer,
- Sebagai Osilator
- Sebagai Switch (Pemutus dan Penyambung Sirkuit)
Jenis dan Macam Transistor
1. BJT (Bipolar Juction Transistor)
BJT memiliki 3 buah kaki yaitu:
– emitter (E),
– kolektor (C), dan
– basis (B).
BJT dapat di bagi lagi menjadi dua jenis, yaitu:
NPN
Huruf n dan p pada transistor jenis ini menunjukkan pembawa muatan
mayoritas pada daerah yang berbeda pada transistor. Transistor NPN
terdiri dari 1 lapisan semi konduktor tipe p di antara dua lapisan semi
konduktor tipe n.
Arus kecil yang melalui basis pada emiter dikuatkan di keluaran
kolektor. Dengan kata lain transistor NPN hidup ketika tegangan basis
lebih tinggi dari tegangan emiter. Tanda panah pada simbol diletakkan
pada kaki emiter dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional
ketika piranti di bias maju).
PNP
Transistor PNP terdiri dari satu lapisan semi konduktor tipe n di
antara dua lapisan semikonduktor tipe p. Arus kecil yang meninggalkan
basis pada mode tunggal emiter dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan
kata lain transistor PNP hidup ketika tegangan basis lbih rendah
daripada tegangan emiter. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emiter
dan menunjuk ke dalam.
2. FET ( Field Effect Transistor)
FET memiliki 3 kaki, yaitu :
– source (S),
– Gate (G) dan
– Drain (D).
Jenis transistor FET dapat dibagi menjadi:
- JFET (Junction FET), dengan metode mempertemukan antara p – n yang di panjar guna memisahkan Gate dan Body.
- MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor FET), menempatkan isolator di antara Gate dan Body.
- MESFET ( Metal Semiconductor FET) , pertemuan antara p dan n pada
JFET digantikan denganpenghalang Schottky, yang digunakan pada GaAs dan
semikonduktor lainya.
- HEMT (High Electron Mobility Transistor/ Transistor yang memiliki
pergerakan elektron yang tinggi), disebut juga HFET ( Heterostructure
FET, FET Struktur Campuran), isolator antar gate dan body dibentuk dari
material yang memiliki lebar celah berbeda.
- FREDFET (Fast Reverse/ Recovery Epitaxial Diode FET, FET dioda
Eitaksial Cepat Balik/ Pulih). FET di desain khusus untuk memperlancr /
mempercepat pemulihan dioda pada body.
- ISFET (Ion Sensitive FET/ FET Sensitif Ion) , digunakan untuk
mengukur konsentrasi ion pada larutan. Ketika konsentrasi ion (pH)
berubah, arus mengalir pada transistor akan juga berubah.
- DNAFET, adalah FET khusus yang berfungsi sebagai biosensor dengan
menggunakan gerbang (gate) yang di buat dari molekul salah satu helai
dari DNA untuk mendeteksi helaian DNA yang sesuai/cocok.
- IGBT ( insulated Gate Transistor / Transistor Dua kutub gerbang dan
isolasi). Sebuah peranti pengndali daya tinggi. IGBT memiliki struktur
yang mirip MOSFET dan di gandengkan dengan kanal konduksi utama yang
mirip transistor 2 kutub. IGBT sering digunakan pada tegangan operasi
antara 200 s/d 3.000 volt. MOSFET merupakan peranti utama yang digunakan
pada tegangan antara 1 s/d 200 volt.
Struktur Lapisan Transistor
Pemberian Bias Transistor
Agar Transistor bekerja kaki Basis-Emitor diberi bias forward dan
Basis-Colektor diberi bias reverse. Sebagai contoh dibawah ini ada
sebuah gambar Transistor PNP.
Cara Kerja Transistor
Pada contoh berikut ini, yang diapai adalah transistor NPN.
Transistor bipolar memiliki dua junction yaitu junction Emitor Basis
dan Junction Basis-Kolektor. Seperti pada dioda, arus listrik akan
mengalir jika material P diberi bias positif, yaitu jika tegangan pada
material P lebih positif dari material N.
Karena basis-emiter mendapat bias foward seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emiter menuju basis. Kolektor pada rangkaian ini lebih
positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih
positif, aliran elektron bergerak menuju kutub + battery . Bila tidak
ada kolektor, seluruh aliran elektron akan menuju basis, seperti pada
dioda. Karena lebar basis yang sangat tipis, maka hanya sebagian kecil
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada basis. Sebagian
besar elektron akan menembus lapisan basis menuju kolektor. Inilah
alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah
transistor.Persyaratannya adalah lebar basis harus sangat tipis sehingga
dapat ditembus oleh elektron.
Jika tegangan basis-emitor dibalik (reverse bias), tidak akan terjadi
aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika basis emitor diberi
bias maju (forward bias), maka elektron pada emitor akan mengalir menuju
kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias basis yang
diberikan. Dengan demikian ternyata, arus basis mengatur banyaknya
elektron yang mengalir dari emitor menuju kolektor. Ini yang dinamakan
efek penguatan transistor, karena arus basis yang kecil menghasilkan
arus emitor-kolektor yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan)
menjadi kurang tepat, karena dengan penjelasan tersebut sebenarnya yang
terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol
aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa basis
mengatur, membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor sehingga
berfungsi sebagai saklar (switch on/off).